STP19NF20, Транзистор N-МОП, полевой, 200В, 9,45А, 90Вт, TO220-3, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 220 руб.

Сравнить

Описание

N-Channel STripFET ™, STMicroelectronics

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STP19NF20

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2189571

Технические параметры

Вес, г

2.68

Категория продукта

МОП-транзистор

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

STripFET

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

STMicroelectronics

Упаковка

Tube

Производитель

STMicroelectronics

Коммерческое обозначение

MESH OVERLAY

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Package

Tube

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Series

MESH OVERLAYв„ў ->

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.6мм

Длина

10.4мм

Вид монтажа

Through Hole

Base Product Number

STP19 ->

Высота

9.15мм

Размеры

10.4 x 4.6 x 9.15мм

Pd - рассеивание мощности

90 W

Количество каналов

1 Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package / Case

TO-220-3

Supplier Device Package

TO-220AB

Конфигурация

Single

Количество элементов на ИС

Transistor Configuration

Одинарный

Тип корпуса

TO-220

Максимальное рассеяние мощности

90 Вт

Тип транзистора

1 N-Channel

Число контактов

Полярность транзистора

N-Channel

Технология

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Id - непрерывный ток утечки

15 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

160 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

200 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Время нарастания

22 ns

Время спада

11 ns

Канальный режим

Enhancement

Типичное время задержки выключения

19 ns

Типичное время задержки при включении

11.5 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

15A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

90W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 7.5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Максимальный непрерывный ток стока

15 A

Материал транзистора

Типичное время задержки включения

11,5 нс

Максимальное сопротивление сток-исток

160 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

24 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

800 пФ при 25 В

Тип канала

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet , pdf , 806 КБ
Datasheet , pdf , 791 КБ

STP19NF20, Транзистор N-МОП, полевой, 200В, 9,45А, 90Вт, TO220-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 220 руб.

Техническая документация