STP14NF10, Транзистор N-МОП, полевой, 100В, 10А, 60Вт, TO220-3, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

N-Channel STripFET ™, STMicroelectronics

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STP14NF10

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2190651

Технические параметры

Вес, г

1.95

Категория продукта

МОП-транзистор

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

STripFET

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

STMicroelectronics

Упаковка

Tube

Производитель

STMicroelectronics

Коммерческое обозначение

STripFET

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Package

Tube

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Series

STripFETв„ў II ->

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.6мм

Длина

10.4мм

Вид монтажа

Through Hole

Base Product Number

STP14 ->

Высота

9.15мм

Размеры

10.4 x 4.6 x 9.15мм

Pd - рассеивание мощности

60 W

Количество каналов

1 Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package / Case

TO-220-3

Supplier Device Package

TO-220AB

Конфигурация

Single

Количество элементов на ИС

Transistor Configuration

Одинарный

Тип корпуса

TO-220

Максимальное рассеяние мощности

60 Вт

Тип транзистора

1 N-Channel Power MOSFET

Число контактов

Полярность транзистора

N-Channel

Технология

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Id - непрерывный ток утечки

15 A

Qg - заряд затвора

15.5 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

130 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Время нарастания

25 ns

Время спада

8 ns

Канальный режим

Enhancement

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

20 S

Типичное время задержки выключения

32 нс

Типичное время задержки при включении

16 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

15A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

60W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 7A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Максимальный непрерывный ток стока

15 A

Материал транзистора

Кремний

Типичное время задержки включения

16 нс

Максимальное сопротивление сток-исток

130 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

15,5 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

460 пФ при 25 В

Тип канала

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

15A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

60W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet STP14NF10 , pdf , 260 КБ
Datasheet STP14NF10 , pdf , 247 КБ

STP14NF10, Транзистор N-МОП, полевой, 100В, 10А, 60Вт, TO220-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация