STP11NM80, Транзистор N-МОП, полевой, 800В, 11А, 150Вт, TO220-3, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 540 руб.

Сравнить

Описание

N-Channel MDmesh ™, 800 В / 1500 В, STMicroelectronics

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STP11NM80

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2158844

Технические параметры

Вес, г

2.75

Категория продукта

МОП-транзистор

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

MDmesh

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

STMicroelectronics

Упаковка

Tube

Производитель

STMicroelectronics

Коммерческое обозначение

MDmesh

Тип

MOSFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.6мм

Длина

10.4мм

Вид монтажа

Through Hole

Высота

9.15мм

Размеры

10.4 x 4.6 x 9.15мм

Pd - рассеивание мощности

150 W

Количество каналов

1 Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Конфигурация

Single

Количество элементов на ИС

Transistor Configuration

Одинарный

Тип корпуса

TO-220

Максимальное рассеяние мощности

150 W

Тип транзистора

1 N-Channel

Число контактов

Полярность транзистора

N-Channel

Технология

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Id - непрерывный ток утечки

11 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

400 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

800 V

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Время нарастания

17 ns

Время спада

15 ns

Канальный режим

Enhancement

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

8 S

Типичное время задержки выключения

46 нс

Типичное время задержки при включении

22 ns

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Материал транзистора

Кремний

Типичное время задержки включения

22 нс

Максимальное сопротивление сток-исток

400 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

43,6 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

1630 пФ при 25 В

Тип канала

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

11A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

150W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

800V

Vgs - Gate-Source Voltage

5V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 905 КБ
Datasheet , pdf , 890 КБ

STP11NM80, Транзистор N-МОП, полевой, 800В, 11А, 150Вт, TO220-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 540 руб.

Техническая документация