SKM75GB12V, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 114 А, 1.85 В, 1.2 кВ, Module, Semikron Elektronik - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 7970 руб.

Сравнить

Описание

Trench V-IGBT (Fuji) 6-го поколения
• CAL4 = Мягкое переключение CAL-диод 4-го поколения
• Интегрированный резистор затвора
• Самые низкие коммутационные потери при высоких di
• dt
• Признано UL , номер файла E63532

Информация

Производитель

Semikron Elektronik

Артикул

SKM75GB12V

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

1809298

Технические параметры

Вес, г

180

Максимальная рабочая температура

175 C

Количество Выводов

7вывод(-ов)

Полярность транзистора

Dual N Channel

Напряжение Коллектор-Эмиттер

1.2кВ

Стиль Корпуса Транзистора

Module

DC Ток Коллектора

114А

Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)

1.2кВ

Техническая документация

Datasheet SKM75GB12V , pdf , 386 КБ

SKM75GB12V, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 114 А, 1.85 В, 1.2 кВ, Module - характеристики, поставщики

Последняя цена 7970 руб.

Техническая документация