ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SKM100GB125DN, IGBT-модуль, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Semikron Elektronik
SKM100GB125DN, IGBT-модуль, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Полупроводниковые модули
IGBT
170
Высокочастотные
9
Диодно-тиристорные
131
Модули управления двигателями
24
Платы и модули
6
IGBT
170
SKM100GB125DN, IGBT-модуль, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93]
Последняя цена
12000 руб.
Сравнить
Описание
Двойные модули IGBT
Серия модулей SEMITOP® IGBT от Semikron, включающих два последовательно соединенных (полумостовых) устройства IGBT. Модули доступны с широким диапазоном номинальных значений напряжения и тока и подходят для различных приложений переключения мощности, таких как инверторные двигатели переменного тока и источники бесперебойного питания.
Информация
Производитель
Semikron Elektronik
Артикул
SKM100GB125DN
Категория
IGBT
Номенклатурный номер
1791344
Технические параметры
Макс.напр.к-э,В
1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
200
Температурный диапазон,С
-40…150
Вес, г
160
Структура
полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В
1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
100
Рабочая температура (Tj), °C
-40…+150
Корпус
D-93
Максимально допустимый импульсный ток э,А
400
Прямое падение напряжения коллектор-эмиттер 125С,В
2.5
Наличие схем управления/защиты в составе модуля
нет
Техническая документация
Datasheet SKM100GB125DN , pdf
, 666 КБ