SIHP25N40D-GE3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 400В, 16А, 278Вт, TO220AB, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 550 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный полевой МОП-транзистор, серия D, высокое напряжение, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SIHP25N40D-GE3

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

1513675

Технические параметры

Вес, г

1.5

Категория продукта

МОП-транзистор

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Минимальная рабочая температура

55 C

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

Серия

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Vishay Semiconductors

Упаковка

Tube

Brand

Vishay

Mounting Type

Through Hole

Series

D Series

Maximum Operating Temperature

+150 °C

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Mounting

Through Hole

Ширина

4.7 mm

Длина

10.41 mm

Вид монтажа

Through Hole

Length

10.51mm

Высота

15.49 mm

Pd - рассеивание мощности

278 W

Количество каналов

1 Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Configuration

Single

Number of Elements per Chip

Package Type

TO-220AB

Width

4.65mm

Pin Count

Конфигурация

Single

Transistor Configuration

Single

Полярность транзистора

N-Channel

Технология

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Maximum Power Dissipation

278 W

Minimum Gate Threshold Voltage

Maximum Drain Source Resistance

170 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

400 V

Typical Gate Charge @ Vgs

44 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Id - непрерывный ток утечки

25 A

Qg - заряд затвора

44 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

170 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

400 V

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

5 V

Время нарастания

57 ns

Время спада

37 ns

Канальный режим

Enhancement

Типичное время задержки выключения

40 ns

Типичное время задержки при включении

21 ns

Height

9.01mm

Standard Package Name

TO-220

Supplier Package

TO-220AB

Package Height

9.01(Max)

Package Length

10.51(Max)

Package Width

4.65(Max)

PCB changed

Lead Shape

Through Hole

Automotive

Military

Maximum Power Dissipation (mW)

278000

Tab

Product Category

Power MOSFET

Maximum Drain Source Voltage (V)

400

Maximum Gate Source Voltage (V)

±30

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

Maximum Continuous Drain Current (A)

Maximum Gate Source Leakage Current (nA)

100

Maximum IDSS (uA)

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

170@10V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

44@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

1707@100V

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Техническая документация

Datasheet SIHP25N40D-GE3 , pdf , 283 КБ
Datasheet SIHP25N40D-GE3 , pdf , 288 КБ

SIHP25N40D-GE3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 400В, 16А, 278Вт, TO220AB - характеристики, поставщики

Последняя цена 550 руб.

Техническая документация