SI4497DY-T1-GE3, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -29А, 5Вт, SO8, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 320 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор -30V Vds 20V Vgs SO-8

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SI4497DY-T1-GE3

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2198127

Технические параметры

Вес, г

0.2

Другие названия товара №

SI4497DY-GE3

Категория продукта

МОП-транзистор

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Минимальная рабочая температура

55 C

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

SI4

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Brand

Vishay

Коммерческое обозначение

TrenchFET

Вид монтажа

SMD/SMT

Pd - рассеивание мощности

7.8 W

Количество каналов

1 Channel

Упаковка / блок

SO-8

Конфигурация

Single

Тип транзистора

1 P-Channel

Полярность транзистора

P-Channel

Технология

Id - непрерывный ток утечки

36 A

Qg - заряд затвора

285 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2.7 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Время нарастания

13 ns

Время спада

25 ns

Канальный режим

Enhancement

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

75 S

Типичное время задержки выключения

115 ns

Типичное время задержки при включении

19 ns

Техническая документация

Datasheet SI4497DY-T1-GE3 , pdf , 205 КБ
Datasheet SI4497DY-T1-GE3 , pdf , 212 КБ

SI4497DY-T1-GE3, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -29А, 5Вт, SO8 - характеристики, поставщики

Последняя цена 320 руб.

Техническая документация