КДШ160А9 (2020г), Диод Шоттки, 30В, 200мА [КТ-46/ SOT-23-3] (=BAT54)
![КДШ160А9 (2020г), Диод Шоттки, 30В, 200мА [КТ-46/ SOT-23-3] (=BAT54)](/file/p_img/1813273.jpg)
Производитель: АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ», КДШ160А9 (2020г)
Материал | кремний |
Кол-во диодов в корпусе | 1 |
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 30 в |
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 200 мА (DC) |
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 2 мкА при 25 В |
Рабочая температура PN-прехода | -55…+85 C |
Корпус | КТ-46 / SOT-23-3 |
Емкость при Vr, F | 10 пФ при 1 В, 1 МГц |
КДШ160АС9 (2020г), Диодная сборка, 2 диода Шоттки, общий анод, 30В, 200мА [КТ-46/ SOT-23-3] (=BAT54A)
![КДШ160АС9 (2020г), Диодная сборка, 2 диода Шоттки, общий анод, 30В, 200мА [КТ-46/ SOT-23-3] (=BAT54A)](/file/p_img/1813272.jpg)
Производитель: АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ», КДШ160АС9 (2020г)
Материал | кремний |
Кол-во диодов в корпусе | 2 |
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 30 в |
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 200 мА (DC) |
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 2 мкА при 25 В |
Рабочая температура PN-прехода | -55…+85 C |
Корпус | КТ-46 / SOT-23-3 |
Емкость при Vr, F | 10 пФ при 1 В, 1 МГц |
КДШ160БС9 (2020г), Диодная сборка, 2 диода Шоттки, общий катод, 30В, 200мА [КТ-46/ SOT-23-3] (=BAT54C)
![КДШ160БС9 (2020г), Диодная сборка, 2 диода Шоттки, общий катод, 30В, 200мА [КТ-46/ SOT-23-3] (=BAT54C)](/file/p_img/1813271.jpg)
Производитель: АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ», КДШ160БС9 (2020г)
Материал | кремний |
Кол-во диодов в корпусе | 2 |
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 30 в |
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 200 мА (DC) |
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 2 мкА при 25 В |
Рабочая температура PN-прехода | -55…+85 C |
Корпус | КТ-46 / SOT-23-3 |
Емкость при Vr, F | 10 пФ при 1 В, 1 МГц |
КДШ160ВС9 (2020г), Диодная сборка, 2 диода Шоттки, последовательное включение, 30В, 200мА [КТ-46/ SOT-23-3] (=BAT54S)
![КДШ160ВС9 (2020г), Диодная сборка, 2 диода Шоттки, последовательное включение, 30В, 200мА [КТ-46/ SOT-23-3] (=BAT54S)](/file/p_img/1813270.jpg)
Производитель: АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ», КДШ160ВС9 (2020г)
Материал | кремний |
Кол-во диодов в корпусе | 2 |
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 30 в |
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 200 мА (DC) |
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 2 мкА при 25 В |
Рабочая температура PN-прехода | -55…+85 C |
Корпус | КТ-46 / SOT-23-3 |
Емкость при Vr, F | 10 пФ при 1 В, 1 МГц |
DSA90C200HB, Диод Шоттки малого сигнала, Двойной Общий Катод, 200 В, 45 А, 860 мВ, 450 А, 175 °C
Производитель: Ixys Corporation, DSA90C200HB
BAT43W-E3-18, Диод Шоттки малого сигнала, Одиночный, 30 В, 200 мА, 450 мВ, 4 А, 125 °C
![BAT43W-E3-18, Диод Шоттки малого сигнала, Одиночный, 30 В, 200 мА, 450 мВ, 4 А, 125 °C](/file/p_img/1813136.jpg)
Производитель: Vishay, BAT43W-E3-18
• Малосигнальный диод Шоттки для общего назначения • Соответствует требованиям AEC-Q101 • Обладает очень низким напряжением включения…
SBAV199LT1G, Диод слабых сигналов, Двойной Последовательный, 70 В, 215 мА, 1.25 В, 3 мкс, 2 А
![SBAV199LT1G, Диод слабых сигналов, Двойной Последовательный, 70 В, 215 мА, 1.25 В, 3 мкс, 2 А](/file/p_img/1813103.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, SBAV199LT1G
Импульсные диоды малой мощности, ON Semiconductor
SMMBD914LT1G, Диод слабых сигналов, Одиночный, 100 В, 200 мА, 1 В, 4 нс, 500 мА
![SMMBD914LT1G, Диод слабых сигналов, Одиночный, 100 В, 200 мА, 1 В, 4 нс, 500 мА](/file/p_img/1813031.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, SMMBD914LT1G
Диоды - общего назначения, управление питанием, коммутация SS SWCH DIO SPCL
DAP222WMTL, Диод слабых сигналов, Двойной Общий Анод, 80 В, 100 мА, 1.2 В, 4 нс, 4 А
![DAP222WMTL, Диод слабых сигналов, Двойной Общий Анод, 80 В, 100 мА, 1.2 В, 4 нс, 4 А](/file/p_img/1812462.jpg)