ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SBC846ALT1G, Транзистор: NPN - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
SBC846ALT1G, Транзистор: NPN
Средства разработки, конструкторы, модули
3D принтеры и ЧПУ станки
Arduino совместимые платы и робототехника
Аксессуары для умного дома
Конвертеры интерфейсов
Литература по программированию и электротехнике
110
Материалы для моделирования
34
Модульная аппаратно-программная платформа TPS
55
Наборы и модули
Отладочные платы, наборы, модули расширения
Программное обеспечение для разработчиков
10
Развивающие конструкторы
49
Системы контроля доступа
Средства программирования
Электронные развивающие конструкторы
78
Наборы и модули
Автомобильная электроника
127
ЖК панели и аксессуары
66
Измерительная техника
23099
Источники питания
67
Модули
342
Охранные устройства
6
Программаторы, тестеры и отлад. устройства
10
Прочие наборы и модули
120
Регуляторы света
3
Световые эффекты
51
Системы дистанционного управления
5
Усилители НЧ
16
Устройства автоматики
79
Устройства обработки аудио сигналов
4
Электронные звуковые эффекты
7
Электронные помощники
23
Измерительная техника
23099
SBC846ALT1G, Транзистор: NPN
Последняя цена
20 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR NPN 65V
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
SBC846ALT1G
Категория
Измерительная техника
Номенклатурный номер
1569939
Технические параметры
Вес, г
0.1
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
BC846ALT1
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor
Type
NPN
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.75
Mounting
Surface Mount
Вид монтажа
SMD/SMT
Material
Si
Pd - рассеивание мощности
225 mW
Упаковка / блок
SOT-23-3
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Pin Count
3
Конфигурация
Single
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
110
Максимальный постоянный ток коллектора
5 uA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
65 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Полярность транзистора
NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
100 MHz
Квалификация
AEC-Q101
Непрерывный коллекторный ток
100 mA
Standard Package Name
SOT
Supplier Package
SOT-23
Package Height
0.94
Package Length
2.9
Package Width
1.3
PCB changed
3
Lead Shape
Gull-wing
Supplier Temperature Grade
Automotive
Automotive
Yes
Military
No
Maximum Power Dissipation (mW)
300
Product Category
Bipolar Small Signal
Maximum Collector Base Voltage (V)
80
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
65
Maximum Emitter Base Voltage (V)
6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA
Maximum DC Collector Current (A)
0.1
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
15
Minimum DC Current Gain
110@2mA@5V
Maximum Transition Frequency (MHz)
100(Min)
AEC Qualified Number
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet SBC846ALT1G , pdf
, 113 КБ