S34ML04G100BHI000, Флеш память, NAND, SLC NAND, 4 Гбит, 512М x 8бит, Параллельный, BGA, 63 вывод(-ов)
• Соответствует Open NAND flash интерфейсу 1.0• Адрес, данные и команды мультиплексированы• Безопасность - одноразовая зона программирования• Во время перехода питания аппаратное программирование• стирание отключено• Поддержка многослойного программирования и удаления• Поддержка копирования программ• Электронная подпись - ID производителя 00ч• Считывание страниц• программ• Стирание блоками - типичное время стирания 3.5мс• Надежность - типичное значение хранения данных 10 лет• Блоки 0 и 1 действительны и будут действительными не менее 1000 циклов с кодом коррекции ошибок (ECC)
