FDMS86163P, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Интегральные схемы

кол-во в упаковке: 1, корпус: TDFN8, АБ

МОП-транзисторы PowerTrench® с P-каналом, Fairchild Semiconductor
МОП-транзисторы PowerTrench® - это оптимизированные переключатели мощности, которые обеспечивают повышение эффективности системы и удельной мощности. Они сочетают в себе малый заряд затвора (Qg), малый заряд обратного восстановления (Qrr) и мягкий диод обратного восстановления, что способствует быстрому переключению синхронного выпрямления в источниках питания переменного / постоянного тока.
В новейших полевых МОП-транзисторах PowerTrench® используется экранированный затвор. структура, обеспечивающая баланс заряда. Благодаря использованию этой передовой технологии FOM (показатель качества) этих устройств значительно ниже, чем у предыдущих поколений.
Характеристики мягких диодов полевых МОП-транзисторов PowerTrench® позволяют исключить демпфирующие цепи или заменить полевые МОП-транзисторы с более высоким номинальным напряжением. .

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Микросхемы памяти

Номенклатурный номер

2482467

Технические параметры

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5.85мм

Высота

1.05мм

Серия

PowerTrench

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Brand

ON Semiconductor

Вес, г

0.1

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Линейка Продукции

PowerTrench Series

Pin Count

Length

5мм

Package Type

Power 56

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Максимальное рассеяние мощности

104 Вт

Number of Elements per Chip

Полярность транзистора

P Канал

Channel Type

Стиль Корпуса Транзистора

Power 56

Рассеиваемая Мощность

104Вт

Напряжение Истока-стока Vds

100В

Непрерывный Ток Стока

50А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.0178Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

2.8В

Максимальный непрерывный ток стока

7,9 A

Материал транзистора

Кремний

Конфигурация транзистора

Одинарный

Минимальное пороговое напряжение включения

Maximum Drain Source Resistance

36 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Типичный заряд затвора при Vgs

42 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-25 В, +25 В

Transistor Mounting

Surface Mount

Техническая документация

Datasheet FDMS86163P , pdf , 552 КБ

FDMS86163P - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация