FOD817B, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 17 руб.

Сравнить

Описание

Оптопары с транзисторным выходом

кол-во в упаковке: 100, корпус: DIP4, АБ

Транзисторные выходные оптопары Phototransistor Output Optocoupler

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Оптопары с транзисторным и диодным выходом

Номенклатурный номер

2378082

Технические параметры

Количество каналов

Количество контактов

Mounting Type

Through Hole

If - прямой ток

50 mA

Pd - рассеивание мощности

200 mW

Vf - прямое напряжение

1.4 V

Vr - обратное напряжение

6 V

Время нарастания

18 us

Время спада

18 us

Высота

4 mm

Длина

5.1 mm

Категория продукта

Транзисторные выходные оптопары

Максимальная рабочая температура

+ 110 C

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение изоляции

5000 В (среднеквадратичное значение)

Подкатегория

Optocouplers

Размер фабричной упаковки

2000

Серия

FOD817B

Тип выхода

NPN Phototransistor

Тип продукта

Transistor Output Optocouplers

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

PDIP-4

Ширина

7 mm

Base Product Number

FOD817 ->

Current - DC Forward (If) (Max)

50mA

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.40.8000

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Channels

Operating Temperature

-55В°C ~ 110В°C

Package

Tube

Package / Case

4-DIP (0.300"", 7.62mm)

REACH Status

REACH Unaffected

Rise / Fall Time (Typ)

4Вµs, 3Вµs

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

4-DIP

Voltage - Forward (Vf) (Typ)

1.2V

Voltage - Isolation

5000Vrms

Выходное устройство

Транзистор

Максимальное прямое напряжение

1.4V

Максимальный ток на входе

50 мА

Тип корпуса

MDIP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Типичное время затухания

18мкс

Типичное время нарастания

18мкс

Вес, г

0.412

Производитель

ON Semiconductor

Тип входного тока

Пост. ток

Вид монтажа

Through Hole

Конфигурация

1 Channel

Коэффициент передачи по току

260 %

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер

70 V

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.2 V

Максимальный коллекторный ток

50 mA

Input Type

Максимальный коэффициент передачи по току

260%

Output Type

Transistor

Current - Output / Channel

50mA

Current Transfer Ratio (Min)

130% @ 5mA

Vce Saturation (Max)

200mV

Voltage - Output (Max)

70V

Current Transfer Ratio (Max)

260% @ 5mA

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер

70 V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 534 КБ
Datasheet , pdf , 356 КБ
Datasheet , pdf , 483 КБ
FOD817 datasheet , pdf , 202 КБ

FOD817B - характеристики, поставщики

Последняя цена 17 руб.

Техническая документация