ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BAT54C-G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Comchip Technology
BAT54C-G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Диоды
Быстродействующие
582
Варикапы
47
Выпрямительные
2288
Высоковольтные
16
Диодные мосты
1928
Диоды лавинные
24
Защитные
4618
Импульсные
143
Прочие диоды
1435
СВЧ, туннельные
51
Силовые
110
Стабилитроны
6533
Шоттки
3700
Выпрямительные
2288
BAT54C-G
Последняя цена
38 руб.
Сравнить
Описание
Discrete Semiconductor Products\Diodes - Rectifiers - Arrays
Диодная матрица 1 пара с общим катодом Шоттки 30 В 200 мА (пост. Ток) для поверхностного монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Информация
Производитель
Comchip Technology
Категория
Выпрямительные
Номенклатурный номер
2324365
Технические параметры
If - прямой ток
200 mA
Vf - прямое напряжение
0.52 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Диоды и выпрямители Шоттки
Конфигурация
Dual
Подкатегория
Diodes Rectifiers
Продукт
Schottky Diodes
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
BAT54
Тип выводов
SMD/SMT
Тип продукта
Schottky Diodes Rectifiers
Торговая марка
Comchip Technology
Упаковка / блок
SOT-23
Base Product Number
BAT54C ->
Current - Reverse Leakage @ Vr
2mA @ 25V
Diode Type
Schottky
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0070
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature - Junction
125В°C (Max)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Speed
Small Signal =
Supplier Device Package
SOT-23-3
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
30V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1V @ 100mA
Diode Configuration
1 Pair Common Cathode
Reverse Recovery Time (trr)
5ns
Vrrm - повторяющееся обратное напряжение
30 V
Технология
Si
Pd - рассеивание мощности
225 mW
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)
200mA (DC)
Техническая документация
Параметры универсальных и импульсных отечественных диодов , pdf
, 230 КБ
Выпрямительные и импульсные отечественные диоды , pdf
, 218 КБ
Datasheet , pdf
, 64 КБ
Datasheet , pdf
, 65 КБ