ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TIP102G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 100В, 8А, 2Вт, TO220 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
TIP102G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 100В, 8А, 2Вт, TO220
Средства разработки, конструкторы, модули
3D принтеры и ЧПУ станки
Arduino совместимые платы и робототехника
Аксессуары для умного дома
Конвертеры интерфейсов
Литература по программированию и электротехнике
110
Материалы для моделирования
34
Модульная аппаратно-программная платформа TPS
55
Наборы и модули
Отладочные платы, наборы, модули расширения
Программное обеспечение для разработчиков
10
Развивающие конструкторы
49
Системы контроля доступа
Средства программирования
Электронные развивающие конструкторы
78
Наборы и модули
Автомобильная электроника
127
ЖК панели и аксессуары
66
Измерительная техника
23099
Источники питания
67
Модули
342
Охранные устройства
6
Программаторы, тестеры и отлад. устройства
10
Прочие наборы и модули
120
Регуляторы света
3
Световые эффекты
51
Системы дистанционного управления
5
Усилители НЧ
16
Устройства автоматики
79
Устройства обработки аудио сигналов
4
Электронные звуковые эффекты
7
Электронные помощники
23
Измерительная техника
23099
TIP102G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 100В, 8А, 2Вт, TO220
Последняя цена
240 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы Дарлингтона NPN, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
TIP102G
Категория
Измерительная техника
Номенклатурный номер
2197767
Технические параметры
Вес, г
1.99
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Производитель
ON Semiconductor
Type
NPN
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Mounting
Through Hole
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.82мм
Длина
10.28мм
Высота
9.28мм
Размеры
10.28 x 4.82 x 9.28мм
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tube
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Pin Count
3
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип транзистора
NPN
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Transistor Type
NPN - Darlington
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
Maximum DC Collector Current
8A
Pd - Power Dissipation
2W
Максимальный запирающий ток коллектора
0.05mA
Максимальный непрерывный ток коллектора
8 A
Standard Package Name
TO-220
Supplier Package
TO-220AB
Package Height
9.28(Max)
Package Length
10.53(Max)
Package Width
4.83(Max)
PCB changed
3
Lead Shape
Through Hole
Automotive
No
Military
No
Maximum Power Dissipation (mW)
2000
Tab
Tab
Maximum Collector Base Voltage (V)
100
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
100
Maximum Emitter Base Voltage (V)
5
Operating Junction Temperature (°C)
-65 to 150
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
2@6mA@3A|2.5@80mA@8A
Minimum DC Current Gain
1000@3A@4V|200@8A@4V
Maximum Continuous DC Collector Current (A)
8
Maximum Collector Cut-Off Current (uA)
50
Typical Current Gain Bandwidth (MHz)
4(Min)
Maximum Base Current (A)
1
Minimum DC Current Gain Range
<500|500 to 3600
Maximum DC Current Gain
20000@3A@4V
Typical Transition Frequency (MHz)
4(Min)
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 133 КБ
Datasheet TIP102G , pdf
, 263 КБ