BSP88H6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 240В, 350мА, 1,8Вт, SOT223, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 76 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор N-Ch 240V 350mA SOT-223-3

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSP88H6327XTSA1

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2197086

Технические параметры

Вес, г

0.16

Другие названия товара №

BSP88 H6327 SP001058790

Категория продукта

МОП-транзистор

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Минимальная рабочая температура

55 C

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

BSP88

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Infineon Technologies

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Series

SIPMOSВ® ->

Ширина

3.5 mm

Длина

6.5 mm

Вид монтажа

SMD/SMT

Base Product Number

BSP88H6327 ->

Высота

1.6 mm

Pd - рассеивание мощности

1.8 W

Количество каналов

1 Channel

Упаковка / блок

SOT-223-4

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Supplier Device Package

PG-SOT223-4

Конфигурация

Single

Тип транзистора

1 N-Channel

Полярность транзистора

N-Channel

Технология

Id - непрерывный ток утечки

350 mA

Qg - заряд затвора

6.8 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

4 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

240 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Время нарастания

3.5 ns

Время спада

18.9 ns

Канальный режим

Enhancement

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

190 mS

Типичное время задержки выключения

17.9 ns

Типичное время задержки при включении

3.6 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

350mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

240V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V, 10V

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.8nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

95pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 350mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 108ВµA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 598 КБ
Datasheet BSP88H6327XTSA1 , pdf , 599 КБ

BSP88H6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 240В, 350мА, 1,8Вт, SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 76 руб.

Техническая документация