BC857ALT1G, Транзистор PNP, биполярный, 45В, 100мА, 200мВт, SOT23, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 8 руб.

Сравнить

Описание

Малосигнальные транзисторы PNP, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

BC857ALT1G

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2190299

Технические параметры

Вес, г

0.02

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Минимальная рабочая температура

55 C

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BC857AL

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Brand

ON Semiconductor

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.3 mm

Длина

2.9 mm

Вид монтажа

SMD/SMT

Dimensions

3.04 x 1.4 x 1.11mm

Length

3.04mm

Base Product Number

BC857 ->

Высота

0.94 mm

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.11мм

Pd - рассеивание мощности

225 mW

Упаковка / блок

SOT-23-3

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

Minimum Operating Temperature

-50 °C

Number of Elements per Chip

Package Type

SOT-23

Width

1.4мм

Pin Count

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-0,65 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Количество элементов на ИС

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

-0,9 В

Максимальное напряжение коллектор-база

-50 В

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

Maximum Operating Frequency

100 МГц

Maximum Collector Emitter Voltage

45 V

Maximum Emitter Base Voltage

-5 V

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

125

Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

Напряжение коллектор-база (VCBO)

80 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

65 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.65 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Полярность транзистора

PNP

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Технология

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

125 @ 2mA, 5V

Frequency - Transition

100MHz

Power - Max

300mW

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

45V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Maximum DC Collector Current

100 мА

Pd - Power Dissipation

300mW

Непрерывный коллекторный ток

0.1 A

Maximum Power Dissipation

225 mW

Height

1.11mm

Конфигурация транзистора

Одинарный

Minimum DC Current Gain

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

-0.65 V

Maximum Collector Base Voltage

-50 V

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

-0.9 V

Техническая документация

BC856-860 , pdf , 63 КБ
Datasheet , pdf , 149 КБ
Datasheet , pdf , 216 КБ
Datasheet , pdf , 210 КБ

BC857ALT1G, Транзистор PNP, биполярный, 45В, 100мА, 200мВт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 8 руб.

Техническая документация