AS6C1008-55TIN, Микросхема памяти, SRAM, 128Кx8бит, 2,7-5,5В, 55нс, TSOP32, Alliance Memory Inc - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 620 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельные

Статическая оперативная память, память Alliance

Информация

Производитель

Alliance Memory Inc

Артикул

AS6C1008-55TIN

Категория

Микросхемы памяти

Номенклатурный номер

2189064

Технические параметры

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Длина

8мм

Минимальное рабочее напряжение питания

2,7 В

Производитель

Alliance Memory

Объем памяти

1Мбит

Тип корпуса

Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальное время произвольного доступа

55нс

Ширина

18.4мм

Организация

128K words x 8 bit

Высота

1мм

Максимальное рабочее напряжение питания

5,5 В

Число контактов

Размеры

8 x 18.4 x 1мм

Тип интерфейса

Parallel

Вид монтажа

SMD/SMT

Время доступа

55 ns

Категория продукта

Стат. ОЗУ

Напряжение питания - макс.

60 mA, 5.5 V

Напряжение питания - мин.

2.7 V

Подкатегория

Memory Data Storage

Размер памяти

1 Mbit

Размер фабричной упаковки

156

Серия

AS6C1008

Тип продукта

SRAM

Торговая марка

Alliance Memory

Упаковка

Tray

Упаковка / блок

TSOP-32

Access Time

55ns

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.32.0041

Memory Format

SRAM

Memory Interface

Parallel

Memory Size

1Mb (128K x 8)

Memory Type

Volatile

Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 85В°C (TA)

Package

Tray

Package / Case

32-TFSOP (0.724"", 18.40mm Width)

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

32-TSOP I

Technology

SRAM - Asynchronous

Voltage - Supply

2.7V ~ 5.5V

Write Cycle Time - Word, Page

55ns

Brand

Alliance Memory

Вес, г

3.84

Количество бит на слово

8бит

Количество слов

128K

Низкая мощность

Yes

Ширина адресной шины

17бит

Maximum Operating Temperature

+85 °C

Length

8мм

Package Type

Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами

Low Power

Yes

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Random Access Time

55нс

Width

18.4мм

Height

1мм

Address Bus Width

17бит

Maximum Operating Supply Voltage

5,5 В

Dimensions

8 x 18.4 x 1мм

Number of Bits per Word

8бит

Тип

Asynchronous

Тип памяти

SDR

Чувствительный к влажности

Yes

Number of Words

128K

Тип синхронизации

Асинхронный

Timing Type

Асинхронный

Техническая документация

Datasheet , pdf , 2777 КБ
Datasheet , pdf , 2747 КБ
Datasheet AS6C1008-55TIN , pdf , 2705 КБ

AS6C1008-55TIN, Микросхема памяти, SRAM, 128Кx8бит, 2,7-5,5В, 55нс, TSOP32 - характеристики, поставщики

Последняя цена 620 руб.

Техническая документация