BC856BS.115, Транзистор PNP x2, биполярный, 65В, 100мА, 300мВт, SOT363, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 10 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы PNP общего назначения, Nexperia

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

BC856BS.115

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2186854

Технические параметры

Вес, г

0.01

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Производитель

Nexperia

Brand

Nexperia

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.35мм

Длина

2.2мм

Вид монтажа

SMD/SMT

Base Product Number

BC856 ->

Высота

1.1мм

Размеры

2.2 x 1.35 x 1.1мм

Pd - рассеивание мощности

200 mW

Упаковка / блок

SC-88-6

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Supplier Device Package

6-TSSOP

Страна происхождения

Конфигурация

Dual

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

300 мВ

Количество элементов на ИС

Максимальное напряжение коллектор-база

80 V

Transistor Configuration

Изолированный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

65 V

Тип корпуса

SOT-363 (SC-88)

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Максимальный пост. ток коллектора

100 mA

Тип транзистора

PNP

Число контактов

Максимальное напряжение эмиттер-база

-6 V

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

200

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

290

Максимальный постоянный ток коллектора

200 mA

Напряжение коллектор-база (VCBO)

80 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

65 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Полярность транзистора

PNP

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Frequency - Transition

100MHz

Power - Max

300mW

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

65V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

65V

Maximum DC Collector Current

100mA

Pd - Power Dissipation

300mW

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

200 at 2 mA at 5 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Конфигурация транзистора

Изолированный

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet BC856BS.115 , pdf , 1021 КБ
Datasheet , pdf , 1100 КБ
Datasheet , pdf , 82 КБ

BC856BS.115, Транзистор PNP x2, биполярный, 65В, 100мА, 300мВт, SOT363 - характеристики, поставщики

Последняя цена 10 руб.

Техническая документация