D44H8G, Транзистор NPN, биполярный, 60В, 10А, 50Вт, TO220AB, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 200 руб.

Сравнить

Описание

Силовые транзисторы NPN, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

D44H8G

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2186838

Технические параметры

Вес, г

1.97

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

Серия

D44H8

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка

Tube

Производитель

ON Semiconductor

Brand

ON Semiconductor

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Package

Tube

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Type

NPN

Maximum Operating Temperature

+150 °C

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Mounting

Through Hole

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.82мм

Длина

10.28мм

Вид монтажа

Through Hole

Dimensions

9.28 x 10.28 x 4.82мм

Base Product Number

D44H8 ->

Material

Высота

9.28мм

Размеры

9.28 x 10.28 x 4.82мм

Pd - рассеивание мощности

70 W

Упаковка / блок

TO-220-3

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package / Case

TO-220-3

Supplier Device Package

TO-220AB

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tube

Configuration

Single

Number of Elements per Chip

Pin Count

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Максимальная рабочая частота

50 MHz

Количество элементов на ИС

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,5 В

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Тип корпуса

TO-220AB

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Максимальный пост. ток коллектора

10 A

Тип транзистора

NPN

Число контактов

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

-40

Maximum Operating Frequency

50 МГц

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Максимальный постоянный ток коллектора

10 A

Напряжение коллектор-база (VCBO)

60 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

60 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Полярность транзистора

NPN

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

50 MHz

Технология

Current - Collector (Ic) (Max)

10A

Current - Collector Cutoff (Max)

10ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 4A, 1V

Frequency - Transition

50MHz

Power - Max

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1V @ 400mA, 8A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

60V

Maximum DC Collector Current

10 A

Непрерывный коллекторный ток

10 A

Maximum Power Dissipation

2 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Standard Package Name

TO-220

Supplier Package

TO-220AB

Package Height

9.28(Max)

Package Length

10.53(Max)

Package Width

4.83(Max)

PCB changed

Lead Shape

Through Hole

Automotive

Military

Maximum Power Dissipation (mW)

2000

Tab

Product Category

Bipolar Power

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

1.5@0.8A@8A

Operating Junction Temperature (°C)

-55 to 150

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

1@0.4A@8A

Maximum DC Collector Current (A)

Minimum DC Current Gain

40@4A@1V|60@2A@1V

Maximum Transition Frequency (MHz)

50(Typ)

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1 В

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

1,5 В

Техническая документация

Datasheet , pdf , 98 КБ
Datasheet , pdf , 249 КБ
Datasheet D44H8G , pdf , 238 КБ

D44H8G, Транзистор NPN, биполярный, 60В, 10А, 50Вт, TO220AB - характеристики, поставщики

Последняя цена 200 руб.

Техническая документация