ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BTA312B-600B.118, Симистор, 600В, 12А, 50мА, D2PAK, Упаковка бобина,лента - характеристики, поставщики
ELDG.ru
WeEn Semiconductors
BTA312B-600B.118, Симистор, 600В, 12А, 50мА, D2PAK, Упаковка бобина,ле…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Тиристоры и Триаки
Динисторы (Диаки)
15
Симисторы
531
Тиристоры
967
Симисторы
531
BTA312B-600B.118, Симистор, 600В, 12А, 50мА, D2PAK, Упаковка бобина,лента
Последняя цена
190 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
WeEn Semiconductors
Артикул
BTA312B-600B,118
Категория
Симисторы
Номенклатурный номер
2184660
Технические параметры
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальный Отпирающий Ток Затвора (QI), Igt
50мА
Максимальный Ток Удержания Ih
60мА
Пиковая Мощность Затвора
5Вт
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц
100А
Стиль Корпуса Симистора
TO-263
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms)
12А
Вес, г
1.86
Максимальная Рабочая Температура
125 C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt
1В
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm
600В
Current - On State (It (RMS)) (Max)
12A
Gate Trigger Current - Igt
50mA
Gate Trigger Voltage - Vgt
1.5V
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM
600V
Type
Two-way thyristor
Техническая документация
Datasheet BTA312B-600B,118 , pdf
, 308 КБ
Datasheet , pdf
, 286 КБ