FDS2734, Транзистор N-MOSFET, полевой, 250В, 3А, 2,5Вт, SO8, UltraFET®, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 280 руб.

Сравнить

Описание

Полевой МОП-транзистор UltraFET®, Fairchild Semiconductor
МОП-транзистор UItraFET® Trench сочетают в себе характеристики, обеспечивающие эталонную эффективность в приложениях преобразования энергии. Устройство способно выдерживать высокую энергию в лавинном режиме, а диод демонстрирует очень низкое время обратного восстановления и накопленный заряд. Оптимизирован для эффективности на высоких частотах, минимальном RDS (включено), низком ESR и низком общем заряде затвора и затвора Миллера.
Применения в высокочастотных преобразователях постоянного тока в постоянный, импульсных регуляторах, драйверах двигателей, переключателях низковольтной шины и мощности управление.

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDS2734

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2184587

Технические параметры

Вес, г

0.11

Категория продукта

МОП-транзистор

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Минимальная рабочая температура

55 C

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

FDS2734

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Brand

ON Semiconductor

Коммерческое обозначение

UltraFET

Тип

MOSFET

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Series

UltraFET

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Ширина

3.9 mm

Длина

4.9 mm

Вид монтажа

SMD/SMT

Length

4мм

Высота

1.75 mm

Pd - рассеивание мощности

2.5 W

Количество каналов

1 Channel

Упаковка / блок

SO-8

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Number of Elements per Chip

Package Type

SOIC

Width

5мм

Конфигурация

Single Quad Drain Triple Source

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Тип транзистора

1 N-Channel

Число контактов

Полярность транзистора

N-Channel

Технология

Maximum Continuous Drain Current

3 A

Minimum Gate Threshold Voltage

Maximum Drain Source Resistance

225 мΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

32 нКл при 10 В

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Id - непрерывный ток утечки

3 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

97 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

250 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Время нарастания

11 ns

Время спада

11 ns

Канальный режим

Enhancement

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

15.1 S

Типичное время задержки выключения

40 ns

Типичное время задержки при включении

23 ns

Height

1.5мм

Материал транзистора

Кремний

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet FDS2734 , pdf , 482 КБ
Datasheet FDS2734 , pdf , 391 КБ

FDS2734, Транзистор N-MOSFET, полевой, 250В, 3А, 2,5Вт, SO8, UltraFET® - характеристики, поставщики

Последняя цена 280 руб.

Техническая документация