STP5NK100Z, Транзистор N-МОП, полевой, 1кВ, 2,2А, 125Вт, TO220-3, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 320 руб.

Сравнить

Описание

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 1 кВ; Iс(25°C): 3.5 А; Rси(вкл): 4 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 42 нКл
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 1 кВ, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3.7 Ом

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STP5NK100Z

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2183827

Технические параметры

Вес, г

2.72

Категория продукта

МОП-транзистор

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

STMicroelectronics

Производитель

STMicroelectronics

Коммерческое обозначение

SuperMESH

Тип

MOSFET

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Package

Tube

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Series

SuperMESH3в„ў ->

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Mounting

Through Hole

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.6мм

Длина

10.4мм

Вид монтажа

Through Hole

Base Product Number

STP5NK100 ->

Высота

9.15мм

Размеры

10.4 x 4.6 x 9.15мм

Pd - рассеивание мощности

125 W

Количество каналов

1 Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package / Case

TO-220-3

Supplier Device Package

TO-220AB

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tube

Configuration

Single

Number of Elements per Chip

Pin Count

Конфигурация

Single

Количество элементов на ИС

Transistor Configuration

Одинарный

Тип корпуса

TO-220

Максимальное рассеяние мощности

125 W

Тип транзистора

1 N-Channel Power MOSFET

Число контактов

Полярность транзистора

N-Channel

Технология

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Id - непрерывный ток утечки

3.5 A

Qg - заряд затвора

42 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

3.7 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1 kV

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Время нарастания

7.7 ns

Время спада

19 ns

Канальный режим

Enhancement

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

4 S

Типичное время задержки выключения

51,5 нс

Типичное время задержки при включении

22.5 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

3.5A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

59nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1154pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

125W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7Ohm @ 1.75A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 100ВµA

Максимальный непрерывный ток стока

3.5 A

Материал транзистора

Типичное время задержки включения

22,5 нс

Максимальное сопротивление сток-исток

3.7 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

1000 V

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

42 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

1154 пФ при 25 В

Тип канала

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Standard Package Name

TO-220

Supplier Package

TO-220

Package Height

9.15(Max)

Package Length

10.4(Max)

Package Width

4.6(Max)

PCB changed

Lead Shape

Through Hole

Automotive

Military

Maximum Power Dissipation (mW)

125000

Process Technology

SuperMESH

Tab

Product Category

Power MOSFET

Maximum Drain Source Voltage (V)

1000

Maximum Gate Source Voltage (V)

±30

Maximum Continuous Drain Current (A)

3.5

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

3700@10V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

42@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

1154@25V

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

7.7

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

51.5

Typical Turn-On Delay Time (ns)

22.5

Техническая документация

Datasheet STP5NK100Z, STF5NK100Z, STW5NK100Z , pdf , 454 КБ
Datasheet , pdf , 449 КБ
Datasheet , pdf , 440 КБ

STP5NK100Z, Транзистор N-МОП, полевой, 1кВ, 2,2А, 125Вт, TO220-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 320 руб.

Техническая документация