IRLD120PBF, Транзистор N-МОП, полевой, logic level, 100В 1,3A 1,3Вт DIP4, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный МОП-транзистор, от 100 до 150 В, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

IRLD120PBF

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2180552

Технические параметры

Вес, г

0.31

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Производитель

Vishay

Brand

Vishay

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Package

Tube

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

6.29мм

Длина

5мм

Length

5мм

Base Product Number

IRLD120 ->

Высота

3.37мм

Размеры

5 x 6.29 x 3.37мм

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package / Case

4-DIP (0.300"", 7.62mm)

Supplier Device Package

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Package Type

HVMDIP

Количество элементов на ИС

Transistor Configuration

Одинарный

Тип корпуса

HVMDIP

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Число контактов

Maximum Power Dissipation

1,3 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Maximum Drain Source Voltage

100 В

Transistor Material

Кремний

Channel Type

Maximum Gate Source Voltage

-10 В, +10 В

Типичное время задержки выключения

21 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

1.3A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 5V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

490pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

1.3W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 780mA, 5V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250ВµA

Height

3.37мм

Максимальный непрерывный ток стока

1,3 A

Материал транзистора

Типичное время задержки включения

9.8 ns

Максимальное сопротивление сток-исток

270 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

12 nC @ 5 V

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

490 пФ при 25 В

Тип канала

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 V, +10 V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Техническая документация

Datasheet IRLD120PBF , pdf , 1677 КБ
Datasheet IRLD120PBF , pdf , 809 КБ

IRLD120PBF, Транзистор N-МОП, полевой, logic level, 100В 1,3A 1,3Вт DIP4 - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация