BSN20-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 50В, 0,3А, 600мВт, SOT23, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 39 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный полевой МОП-транзистор, от 40 до 90 В, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

BSN20-7

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2178329

Технические параметры

Вес, г

0.02

Категория продукта

МОП-транзистор

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BSN20

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Diodes Incorporated

Производитель

DiodesZetex

Brand

DiodesZetex

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Mounting

Surface Mount

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.4мм

Длина

3мм

Вид монтажа

SMD/SMT

Length

3мм

Base Product Number

BSN20 ->

Высота

1мм

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Pd - рассеивание мощности

920 mW

Количество каналов

1 Channel

Упаковка / блок

SOT-23-3

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Supplier Device Package

SOT-23

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Configuration

Single

Number of Elements per Chip

Width

1.4мм

Pin Count

Конфигурация

Single

Количество элементов на ИС

Transistor Configuration

Одинарный

Тип корпуса

SOT-23

Максимальное рассеяние мощности

920 мВт

Тип транзистора

1 N-Channel

Число контактов

Полярность транзистора

N-Channel

Технология

Maximum Power Dissipation

920 мВт

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Drain Source Resistance

2 Ω

Typical Gate Charge @ Vgs

0,8 нКл при 10 В

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Id - непрерывный ток утечки

500 mA

Qg - заряд затвора

800 pC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.8 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

50 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

400 mV

Время нарастания

2.99 ns

Время спада

8.3 ns

Канальный режим

Enhancement

Типичное время задержки выключения

9,45 нс

Типичное время задержки при включении

2.93 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

500mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.8nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

40pF @ 10V

Power Dissipation (Max)

600mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 220mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250ВµA

Максимальный непрерывный ток стока

500 мА

Материал транзистора

Кремний

Типичное время задержки включения

2,93 нс

Максимальное сопротивление сток-исток

2 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

50 В

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

0,8 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

21,8 пФ при 10 В

Тип канала

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

500mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

600mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

50V

Vgs - Gate-Source Voltage

1.5V @ 250uA

Standard Package Name

SOT-23

Supplier Package

SOT-23

Package Height

0.98

Package Length

2.9

Package Width

1.3

PCB changed

Lead Shape

Gull-wing

Supplier Temperature Grade

Automotive

Military

Maximum Power Dissipation (mW)

600

Product Category

Small Signal

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Continuous Drain Current (A)

0.5

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

1800@10V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

0.8@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

0.8

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

21.8@10V

Typical Fall Time (ns)

7.01

Typical Rise Time (ns)

2.99

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

9.45

Typical Turn-On Delay Time (ns)

2.93

Техническая документация

Datasheet , pdf , 430 КБ
Datasheet BSN20-7 , pdf , 179 КБ
Datasheet BSN20-7 , pdf , 179 КБ

BSN20-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 50В, 0,3А, 600мВт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 39 руб.

Техническая документация