BPW76B, Фототранзистор, TO18, p макс 850нм, 70В, 40°, d 0,45-1,08мкм, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 410 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

BPW76B

Категория

Фототранзисторы

Номенклатурный номер

2176814

Технические параметры

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.40.70.40

Type

Chip

Phototransistor Type

Phototransistor

Lens Shape Type

Flat

Material

Silicon

Number of Channels per Chip

Polarity

NPN

Half Intensity Angle Degrees (°)

Viewing Orientation

Top View

Peak Wavelength (nm)

850

Maximum Light Current (uA)

1200(Typ)

Maximum Collector Current (mA)

Maximum Dark Current (nA)

100

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.3

Maximum Power Dissipation (mW)

250

Fabrication Technology

NPN Transistor

Maximum Operating Temperature (°C)

125

Pin Count

Supplier Package

TO-206AA

Diameter

5.5

Mounting

Through Hole

Package Height

6.15

PCB changed

Lead Shape

Through Hole

Вес, г

0.34

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Типичное Значение Длины Волны

850нм

Угол Обзора

Энергопотребление

250мвт

Стиль Корпуса Транзистора

to-18

Техническая документация

Datasheet BPW76B , pdf , 149 КБ
Datasheet BPW76B , pdf , 152 КБ
Datasheet , pdf , 150 КБ

BPW76B, Фототранзистор, TO18, p макс 850нм, 70В, 40°, d 0,45-1,08мкм - характеристики, поставщики

Последняя цена 410 руб.

Техническая документация