BC857BW.115, Транзистор PNP, биполярный, 45В, 100мА, 200мВт, SOT23, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 10 руб.

Сравнить

Описание

Корпус SC703, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 220, Коэффициент усиления по току, max 475

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

BC857BW.115

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2176290

Технические параметры

Вес, г

0.02

Другие названия товара №

BC857BW T/R

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Производитель

Nexperia

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.35мм

Длина

2.2мм

Вид монтажа

SMD/SMT

Base Product Number

BC857 ->

Высота

1мм

Размеры

2.2 x 1.35 x 1мм

Pd - рассеивание мощности

200 mW

Упаковка / блок

SOT-323-3

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package / Case

SC-70, SOT-323

Supplier Device Package

SOT-323

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-600 mV

Количество элементов на ИС

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

850 мВ

Максимальное напряжение коллектор-база

-50 V

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Тип корпуса

SOT-323 (SC-70)

Максимальное рассеяние мощности

200 mW

Максимальный пост. ток коллектора

100 mA

Тип транзистора

PNP

Число контактов

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 V

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

125

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

220 at 2 mA at 5 V

Максимальный постоянный ток коллектора

100 mA

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

400 mV

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Полярность транзистора

PNP

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

Frequency - Transition

100MHz

Power - Max

200mW

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

45V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Maximum DC Collector Current

100mA

Pd - Power Dissipation

200mW

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

220 at 2 mA at 5 V

Automotive Standard

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet , pdf , 370 КБ
Datasheet , pdf , 219 КБ
Datasheet , pdf , 158 КБ

BC857BW.115, Транзистор PNP, биполярный, 45В, 100мА, 200мВт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 10 руб.

Техническая документация