STD16N65M5, Транзистор N-MOSFET, полевой, 710В, 12А, 90Вт, DPAK, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 450 руб.

Сравнить

Описание

Серия MDmesh ™ M5 с N-каналом, STMicroelectronics
Силовые полевые МОП-транзисторы MDmesh M5 оптимизированы для мощных топологий PFC и PWM. Основные характеристики включают низкие потери в открытом состоянии на площадь кремния в сочетании с низким зарядом затвора. Они разработаны для энергосберегающих, компактных и надежных устройств с аппаратным переключением, таких как преобразователи солнечной энергии, источники питания для потребительских товаров и электронные системы управления освещением.

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STD16N65M5

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2174909

Технические параметры

Вес, г

0.61

Категория продукта

МОП-транзистор

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Минимальная рабочая температура

55 C

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

MDmesh M5

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

STMicroelectronics

Brand

STMicroelectronics

Коммерческое обозначение

MDmesh

Тип

Power MOSFETs

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Вид монтажа

SMD/SMT

Length

6.6мм

Высота

2.4мм

Pd - рассеивание мощности

90 W

Количество каналов

1 Channel

Упаковка / блок

TO-252-3

Number of Elements per Chip

Package Type

DPAK (TO-252)

Width

6.2мм

Pin Count

Конфигурация

Single

Transistor Configuration

Одинарный

Тип транзистора

1 N-Channel

Полярность транзистора

N-Channel

Технология

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Power Dissipation

90 Вт

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Maximum Drain Source Resistance

279 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Typical Gate Charge @ Vgs

31 nC @ 10 V

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Id - непрерывный ток утечки

12 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

270 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

650 V

Vgs - напряжение затвор-исток

25 V

Время нарастания

9 ns

Время спада

7 ns

Канальный режим

Enhancement

Типичное время задержки выключения

30 ns

Типичное время задержки при включении

25 ns

Техническая документация

Datasheet STD16N65M5 , pdf , 1367 КБ
Datasheet , pdf , 845 КБ
Datasheet STD16N65M5 , pdf , 827 КБ

STD16N65M5, Транзистор N-MOSFET, полевой, 710В, 12А, 90Вт, DPAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 450 руб.

Техническая документация