BSP373NH6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 1,8А, 1,8Вт, SOT223, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 230 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon SIPMOS® с N-каналом

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSP373NH6327XTSA1

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2174835

Технические параметры

Вес, г

0.5

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Серия

SIPMOS

Производитель

Infineon

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

3.5мм

Длина

6.5мм

Высота

1.6мм

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.6мм

Количество элементов на ИС

Transistor Configuration

Одинарный

Тип корпуса

SOT-223

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Число контактов

3+Tab

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Типичное время задержки выключения

85 нс

Максимальный непрерывный ток стока

1,7 A

Материал транзистора

Кремний

Типичное время задержки включения

10 нс

Максимальное сопротивление сток-исток

300 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Категория

Малый сигнал

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

400 пФ при 25 В

Тип канала

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

1.8A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

1.8W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 218uA

Техническая документация

Datasheet BSP373NH6327XTSA1 , pdf , 564 КБ

BSP373NH6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 1,8А, 1,8Вт, SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 230 руб.

Техническая документация