61WV5128BLL10KLI, IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,4?3,6В; 10нс; SOJ36; параллельный, Integrated Silicon Solution - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 800 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельные

Стат. ОЗУ 4Mb 8ns/3.3v 10ns Async Стат. ОЗУ

Информация

Производитель

Integrated Silicon Solution

Артикул

IS61WV5128BLL-10KLI

Категория

Микросхемы памяти

Номенклатурный номер

2169394

Технические параметры

Максимальная рабочая температура

+ 85 C

Минимальная рабочая температура

40 C

Организация

512 k x 8

Тип интерфейса

Parallel

Вид монтажа

SMD/SMT

Время доступа

10 ns

Категория продукта

Стат. ОЗУ

Напряжение питания - макс.

45 mA, 3.6 V

Напряжение питания - мин.

2.4 V

Подкатегория

Memory Data Storage

Размер памяти

4 Mbit

Размер фабричной упаковки

Серия

IS61WV5128BLL

Тип продукта

SRAM

Торговая марка

ISSI

Упаковка

Tray

Упаковка / блок

SOJ-36

Вес, г

0.2

Chip Density (bit)

ECCN (US)

3a991b.2.a.

EU RoHS

compliant

Lead Shape

j-lead

Maximum Operating Supply Voltage (V)

3.6

Maximum Operating Temperature (°C)

Minimum Operating Supply Voltage (V)

2.4

Minimum Operating Temperature (°C)

-40

Mounting

surface mount

Operating Current (mA)

Part Status

active

PCB changed

Pin Count

Standard Package Name

soj

Supplier Package

soj

Supplier Temperature Grade

industrial

Typical Operating Supply Voltage (V)

2.5|3.3

Тип

Asynchronous

Тип памяти

SDR

Max. Access Time (ns)

Чувствительный к влажности

Yes

Number of Words

512k

Timing Type

asynchronous

Количество портов

Number of Bits/Word (bit)

Data Rate Architecture

sdr

Number of Ports

Техническая документация

Datasheet , pdf , 547 КБ
Datasheet , pdf , 562 КБ

61WV5128BLL10KLI, IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,4?3,6В; 10нс; SOJ36; параллельный - характеристики, поставщики

Последняя цена 800 руб.

Техническая документация