IPP040N06N3GXKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 90А, 188Вт, PG-TO220-3, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 250 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, от 60 до 80 В
Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPP040N06N3GXKSA1

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2167167

Технические параметры

Вес, г

2.08

Другие названия товара №

IPP040N06N3 G SP000680788

Категория продукта

МОП-транзистор

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

500

Серия

OptiMOS 3

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Tube

Производитель

Infineon

Коммерческое обозначение

OptiMOS

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Package

Tube

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Series

OptiMOSв„ў ->

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.57мм

Длина

10.36мм

Вид монтажа

Through Hole

Base Product Number

IPP040 ->

Высота

15.95мм

Размеры

10.36 x 4.57 x 15.95мм

Pd - рассеивание мощности

188 W

Количество каналов

1 Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package / Case

TO-220-3

Supplier Device Package

PG-TO220-3

Конфигурация

Single

Количество элементов на ИС

Transistor Configuration

Одинарный

Тип корпуса

TO-220

Максимальное рассеяние мощности

188 Вт

Тип транзистора

1 N-Channel

Число контактов

Полярность транзистора

N-Channel

Технология

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Id - непрерывный ток утечки

90 A

Qg - заряд затвора

98 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

3.3 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Время нарастания

70 ns

Время спада

5 ns

Канальный режим

Enhancement

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

61 S

Типичное время задержки выключения

40 нс

Типичное время задержки при включении

30 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

90A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

11000pF @ 30V

Power Dissipation (Max)

188W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 90A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 90ВµA

Максимальный непрерывный ток стока

90 А

Материал транзистора

Кремний

Типичное время задержки включения

30 нс

Максимальное сопротивление сток-исток

4 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

98 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

8000 пФ при 30 В

Тип канала

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Прямое напряжение диода

1.2V

Прямая активная межэлектродная проводимость

121s

Техническая документация

Datasheet IPP040N06N3GXKSA1 , pdf , 999 КБ
Datasheet , pdf , 997 КБ

IPP040N06N3GXKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 90А, 188Вт, PG-TO220-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 250 руб.

Техническая документация