BC847C-7-F, Транзистор NPN, биполярный, 45В, 100мА, 310мВт, SOT23, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 8 руб.

Сравнить

Описание

Малосигнальные NPN-транзисторы, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

BC847C-7-F

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2162123

Технические параметры

Вес, г

0.04

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

65 C

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BC847C

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Brand

DiodesZetex

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Ширина

1.4мм

Длина

3.05 mm

Вид монтажа

SMD/SMT

Dimensions

3 x 1.4 x 1.1mm

Length

3mm

Base Product Number

BC847 ->

Высота

1 mm

Pd - рассеивание мощности

300 mW

Упаковка / блок

SOT-23-3

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Supplier Device Package

SOT-23-3

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Number of Elements per Chip

Package Type

SOT-23

Width

1.4mm

Pin Count

Конфигурация

Single

Количество элементов на ИС

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

0,9 В

Максимальное напряжение коллектор-база

50 V

Transistor Configuration

Single

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

420

Maximum Operating Frequency

300 MHz

Maximum Collector Emitter Voltage

45 V

Maximum Emitter Base Voltage

6 V

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

420 at 2 mA, 5 V

Максимальный постоянный ток коллектора

200 mA

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

600 mV

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Полярность транзистора

NPN

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

300 MHz

Технология

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

Frequency - Transition

300MHz

Power - Max

300mW

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

45V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Maximum DC Collector Current

100 mA

Pd - Power Dissipation

300mW

Maximum Power Dissipation

300 mW

Height

1.1mm

Конфигурация транзистора

Одинарный

Minimum DC Current Gain

420

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.6 V

Maximum Collector Base Voltage

50 V

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

0.9 V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 297 КБ
Datasheet , pdf , 1163 КБ
BC846...BC848 , pdf , 300 КБ

BC847C-7-F, Транзистор NPN, биполярный, 45В, 100мА, 310мВт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 8 руб.

Техническая документация