MUN5312DW1T1G, Транзистор NPN / PNP, биполярный, BRT,комплементарная пара, 50В, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 21 руб.

Сравнить

Описание

Двойные цифровые транзисторы с двойным резистором, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

MUN5312DW1T1G

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2157402

Технические параметры

Вес, г

0.02

Категория продукта

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

MUN5312DW1

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

Торговая марка

ON Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Brand

ON Semiconductor

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Type

PNP|NPN

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.21.00.95

Mounting

Surface Mount

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.25мм

Длина

2мм

Вид монтажа

SMD/SMT

Dimensions

2 x 1.25 x 0.9mm

Base Product Number

MUN5312 ->

Высота

0.9мм

Размеры

2 x 1.25 x 0.9мм

Pd - рассеивание мощности

187 mW

Количество каналов

2 Channel

Упаковка / блок

SC-88-6

Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Supplier Device Package

SC-88/SC70-6/SOT-363

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Configuration

Dual

Package Type

SOT-363 (SC-88)

Width

1.25мм

Pin Count

Конфигурация

Dual

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.25 V

Количество элементов на ИС

Transistor Configuration

Изолированный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 V

Тип корпуса

SOT-363 (SC-88)

Тип транзистора

NPN, PNP

Число контактов

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Полярность транзистора

NPN, PNP

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Power - Max

250mW

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300ВµA, 10mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Maximum DC Collector Current

100mA

Pd - Power Dissipation

187mW

Максимальный непрерывный ток коллектора

100 mA

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

60 at 5 mA at 10 V

Непрерывный коллекторный ток

0.1 A

Standard Package Name

Supplier Package

SC-88

Package Height

0.9

Package Length

Package Width

1.25

PCB changed

Lead Shape

Gull-wing

Automotive

Military

Maximum Power Dissipation (mW)

385

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.25@0.3mA@10mA

Minimum DC Current Gain

60@5mA@10V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.25 V

Typical Resistor Ratio

Maximum Continuous Collector Current

100 мА

Typical Input Resistor

22 кΩ

Пиковый постоянный ток коллектора

100 mA

Типичное входное сопротивление

22 kOhms

Типичный коэффициент деления резистора

Типичный коэффициент резистора

Типичный входной резистор

22 кΩ

Resistor - Base (R1)

22kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)

22kOhms

Maximum Continuous DC Collector Current (mA)

100

Typical Input Resistor (kOhm)

Техническая документация

Datasheet MUN5312DW1T1G , pdf , 101 КБ
Datasheet , pdf , 100 КБ
Datasheet , pdf , 268 КБ
Datasheet , pdf , 108 КБ

MUN5312DW1T1G, Транзистор NPN / PNP, биполярный, BRT,комплементарная пара, 50В - характеристики, поставщики

Последняя цена 21 руб.

Техническая документация