BC846AS-7, Транзистор NPN x2, биполярный, 65В, 100мА, 200мВт, SOT363, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 10 руб.

Сравнить

Описание

Малосигнальные NPN-транзисторы, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

BC846AS-7

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2154146

Технические параметры

Вес, г

0.02

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BC846

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Производитель

DiodesZetex

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

1.35мм

Длина

2.2мм

Вид монтажа

SMD/SMT

Base Product Number

BC846 ->

Высота

1мм

Размеры

2.2 x 1.35 x 1мм

Pd - рассеивание мощности

200 mW

Упаковка / блок

SOT-363-6

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Supplier Device Package

SOT-363

Конфигурация

Dual

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

600 мВ

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Количество элементов на ИС

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

700 мВ, 900 мВ

Максимальное напряжение коллектор-база

80 V

Transistor Configuration

Изолированный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

65 V

Тип корпуса

SOT-363 (SC-88)

Максимальное рассеяние мощности

200 mW

Максимальный пост. ток коллектора

100 mA

Тип транзистора

NPN

Число контактов

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

110

Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

Напряжение коллектор-база (VCBO)

80 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

65 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

200 mV

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Полярность транзистора

NPN

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Технология

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

Frequency - Transition

100MHz

Power - Max

200mW

Transistor Type

2 NPN (Dual)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

65V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

65V

Maximum DC Collector Current

100mA

Pd - Power Dissipation

200mW

Техническая документация

Datasheet BC846AS-7 , pdf , 633 КБ
Datasheet BC846AS-7 , pdf , 626 КБ

BC846AS-7, Транзистор NPN x2, биполярный, 65В, 100мА, 200мВт, SOT363 - характеристики, поставщики

Последняя цена 10 руб.

Техническая документация