IPB026N06NATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 100А, 136Вт, PG-TO263-3, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 290 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 5

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPB026N06NATMA1

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2153251

Технические параметры

Вес, г

0.5

Другие названия товара №

IPB026N06N SP000962142

Категория продукта

МОП-транзистор

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Подкатегория

MOSFETs

Продукт

OptiMOS Power

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

OptiMOS 5

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Infineon Technologies

Производитель

Infineon

Коммерческое обозначение

OptiMOS

Тип

OptiMOS Power Transistor

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

11.05мм

Длина

10.31мм

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

4.57мм

Размеры

10.31 x 11.05 x 4.57мм

Pd - рассеивание мощности

136 W

Количество каналов

1 Channel

Упаковка / блок

TO-263-3

Конфигурация

Single

Количество элементов на ИС

Transistor Configuration

Одинарный

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Максимальное рассеяние мощности

136 Вт

Тип транзистора

1 N-Channel

Число контактов

Полярность транзистора

N-Channel

Технология

Id - непрерывный ток утечки

100 A

Qg - заряд затвора

66 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2.3 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.1 V

Время нарастания

15 ns

Время спада

8 ns

Канальный режим

Enhancement

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

80 S

Типичное время задержки выключения

30 нс

Типичное время задержки при включении

17 ns

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Материал транзистора

Кремний

Типичное время задержки включения

17 нс

Максимальное сопротивление сток-исток

3.9 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

56 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

4100 пФ при 30 В

Тип канала

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Прямое напряжение диода

1.2V

Прямая активная межэлектродная проводимость

160S

Техническая документация

Datasheet IPB026N06NATMA1 , pdf , 601 КБ
Datasheet , pdf , 543 КБ

IPB026N06NATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 100А, 136Вт, PG-TO263-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 290 руб.

Техническая документация