IPA60R190P6XKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 20,2А, 34Вт, PG-TO220 FullPAK, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 350 руб.

Сравнить

Описание

Силовые МОП-транзисторы серии Infineon CoolMOS ™ E6 / P6
Серия Infineon МОП-транзисторов серии CoolMOS ™ E6 и P6. Эти высокоэффективные устройства могут использоваться в нескольких приложениях, включая коррекцию коэффициента мощности (PFC), осветительные и потребительские устройства, а также солнечные батареи, телекоммуникации и серверы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPA60R190P6XKSA1

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2149151

Технические параметры

Вес, г

2.17

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Серия

CoolMOS P6

Производитель

Infineon

Brand

Infineon

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Package

Tube

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Series

CoolMOSв„ў P6 ->

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.9мм

Длина

10.65мм

Base Product Number

IPA60R190 ->

Высота

16.15мм

Размеры

10.65 x 4.9 x 16.15мм

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

Supplier Device Package

PG-TO220-FP

Количество элементов на ИС

Transistor Configuration

Одинарный

Тип корпуса

TO-220FP

Максимальное рассеяние мощности

34 Вт

Число контактов

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.5V

Channel Type

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Типичное время задержки выключения

45 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

20.2A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1750pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

34W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 7.6A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 630Вµ

Height

16.15mm

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Материал транзистора

Типичное время задержки включения

15 нс

Максимальное сопротивление сток-исток

190 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

37 nC @ 10 V

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

1750 пФ при 100 В

Тип канала

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Прямое напряжение диода

0.9V

Forward Diode Voltage

0.9V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 3092 КБ

IPA60R190P6XKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 20,2А, 34Вт, PG-TO220 FullPAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 350 руб.

Техническая документация