M93S66-WMN6P, МикросхемаEEPROM MICROWIRE 256x16 2,5-5,5V SO8, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 98 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти EEPROM - микросхемы\Памяти EEPROM последовательные

EEPROM 5.5V 4K (256x16)

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

M93S66-WMN6P

Категория

Микросхемы памяти

Номенклатурный номер

2121113

Технические параметры

Максимальная рабочая температура

+ 85 C

Длина

5 mm (Max)

Программирующее напряжение

2.5 V to 5.5 V

Минимальная рабочая температура

40 C

Ширина

4 mm (Max)

Сохранение данных

40 Year

Организация

256 x 16

Высота

1.65 mm (Max)

Тип интерфейса

Serial, 3-Wire, Microwire

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

EEPROM

Максимальная тактовая частота

2 MHz

Напряжение питания - макс.

2 mA, 5.5 V

Напряжение питания - мин.

2.5 V

Подкатегория

Memory Data Storage

Рабочее напряжение питания

2.5 V, 5.5 V

Рабочий ток источника питания

2 mA

Размер памяти

4 kbit

Размер фабричной упаковки

2000

Серия

M93S66-W

Тип продукта

EEPROM

Торговая марка

STMicroelectronics

Упаковка / блок

SOIC-8

Base Product Number

M93S66 ->

Clock Frequency

2MHz

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.32.0051

Memory Format

EEPROM

Memory Interface

SPI

Memory Size

4Kb (256 x 16)

Memory Type

Non-Volatile

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 85В°C (TA)

Package

Tube

Package / Case

8-SOIC (0.154"", 3.90mm Width)

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

8-SO

Technology

EEPROM

Voltage - Supply

2.5V ~ 5.5V

Write Cycle Time - Word, Page

5ms

Вес, г

0.08

Техническая документация

Datasheet , pdf , 548 КБ
Datasheet , pdf , 306 КБ

M93S66-WMN6P, МикросхемаEEPROM MICROWIRE 256x16 2,5-5,5V SO8 - характеристики, поставщики

Последняя цена 98 руб.

Техническая документация