AS6C8016-55ZIN, Микросхема памяти, SRAM, 512Кx16бит, 2,7-5,9В, 55нс, TSOP44 II, Alliance Memory Inc - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1040 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельные

Стат. ОЗУ 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn Стат. ОЗУ

Информация

Производитель

Alliance Memory Inc

Артикул

AS6C8016-55ZIN

Категория

Микросхемы памяти

Номенклатурный номер

2114742

Технические параметры

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Длина

18.42мм

Минимальное рабочее напряжение питания

2,7 В

Производитель

Alliance Memory

Объем памяти

8Мбит

Тип корпуса

Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальное время произвольного доступа

55нс

Ширина

10.16мм

Организация

512K words x 16 bit

Высота

1мм

Максимальное рабочее напряжение питания

5,5 В

Число контактов

Размеры

18.42 x 10.16 x 1мм

Тип интерфейса

Parallel

Вид монтажа

SMD/SMT

Время доступа

55 ns

Категория продукта

Стат. ОЗУ

Напряжение питания - макс.

60 mA, 5.5 V

Напряжение питания - мин.

2.7 V

Подкатегория

Memory Data Storage

Размер памяти

8 Mbit

Размер фабричной упаковки

135

Серия

AS6C8016

Тип продукта

SRAM

Торговая марка

Alliance Memory

Упаковка

Tray

Упаковка / блок

TSOP II-44

Вес, г

2.76

Количество бит на слово

16бит

Количество слов

512K

Ширина адресной шины

19бит

Low Power

Yes

Тип

Asynchronous

Тип памяти

SDR

Чувствительный к влажности

Yes

Тип синхронизации

Асинхронный

Техническая документация

Datasheet AS6C8016-55ZIN , pdf , 753 КБ

AS6C8016-55ZIN, Микросхема памяти, SRAM, 512Кx16бит, 2,7-5,9В, 55нс, TSOP44 II - характеристики, поставщики

Последняя цена 1040 руб.

Техническая документация