ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
EE-SX1105, Датчик положения оптический EE-SX1105 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Omron
EE-SX1105, Датчик положения оптический EE-SX1105
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Датчики
Влажности
108
Газа
75
Давления
1583
Датчики Наклона
66
Детекторы потока жидкости
33
Инерциальные измерительные модули (IMUs)
4
Магнитного поля
539
Оптические
1093
Положения (расстояния)
810
Расхода газа
17
Температуры
1314
Тока
278
Угла (энкодеры)
164
Ультразвуковые
121
Уровня жидкости
423
Усилия и Тензодатчики
179
Ускорения (акселерометры)
70
Оптические
1093
EE-SX1105, Датчик положения оптический EE-SX1105
Последняя цена
180 руб.
Сравнить
Описание
Автоматика\Датчики и преобразователи\Фотоэлектрические датчики\Фотоэлектр. датчики для печатных плат
Сквозной луч оптического датчика 0,079 дюйма (2 мм) Фототранзистор для монтажа на печатной плате
Информация
Производитель
Omron
Артикул
EE-SX1105
Категория
Оптические
Номенклатурный номер
2092421
Технические параметры
Mounting Type
Through Hole
Response Time
10Вµs, 10Вµs
Вес, г
0.07
EU RoHS
Compliant
Part Status
Active
Type
Transmissive
Minimum Operating Temperature (°C)
-25
Maximum Operating Temperature (°C)
85
Pin Count
4
Mounting
Through Hole
Package Height
3.3
Package Length
4.9
Package Width
2.6
PCB changed
4
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.40.8000
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Operating Temperature
-25В°C ~ 85В°C
Output Configuration
Phototransistor
Package
Bulk
RoHS Status
RoHS Compliant
Sensing Distance
0.079"" (2mm)
Sensing Method
Through-Beam
Current - Collector (Ic) (Max)
30mA
Current - DC Forward (If) (Max)
50mA
Package / Case
PCB Mount
Video File
Photomicrosensor SMD SeriesPhotomicrosensors Small
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30V
Output Device
Phototransistor
ECCN (US)
EAR99
Number of Channels per Chip
1
Gap Width (mm)
2.3
Slit Width (mm)
0.4
Peak Wavelength (nm)
950
Maximum Forward Current (mA)
50
Maximum Collector Current (mA)
30
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
Maximum Reverse Voltage (V)
5
Maximum Power Dissipation (mW)
80
Maximum Rise Time (ns)
10000(Typ)
Maximum Fall Time (ns)
10000(Typ)
Техническая документация
Datasheet EE-SX1105 , pdf
, 1008 КБ
Datasheet EE-SX1105 , pdf
, 93 КБ
Datasheet , pdf
, 99 КБ