FZT849TA, Транзистор: NPN; биполярный, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Описание

NPN-транзисторы общего назначения, более 1,5 А, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

FZT849TA

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2074395

Технические параметры

Вес, г

0.16

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Производитель

DiodesZetex

Brand

DiodesZetex

Категория продукта:

Биполярные транзисторы - BJT

Подкатегория:

Transistors

Производитель:

Diodes Incorporated

Размер фабричной упаковки:

1000

Серия:

FZT849

Тип продукта:

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка:

Diodes Incorporated

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

3.7мм

Длина

6.7мм

Dimensions

1.65 x 6.7 x 3.7mm

Length

6.7мм

Base Product Number

FZT849 ->

Высота

1.65мм

Размеры

1.65 x 6.7 x 3.7мм

Вид монтажа:

SMD/SMT

Максимальная рабочая температура:

+ 150 C

Минимальная рабочая температура:

- 55 C

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Supplier Device Package

SOT-223

Number of Elements per Chip

Package Type

SOT-223

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.35 V

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Количество элементов на ИС

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,2 В

Максимальное напряжение коллектор-база

80 V

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 V

Тип корпуса

SOT-223

Максимальное рассеяние мощности

3 Вт

Максимальный пост. ток коллектора

7 A

Тип транзистора

NPN

Число контактов

3 + Tab

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Maximum Operating Frequency

100 MHz

Maximum Collector Emitter Voltage

30 В

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

50nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 1V

Frequency - Transition

100MHz

Power - Max

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

350mV @ 300mA, 6.5A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

30V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Maximum DC Collector Current

Pd - Power Dissipation

Pd - рассеивание мощности:

3 W

Упаковка / блок:

SOT-223-4

Minimum DC Current Gain

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.35 V

Высота:

1.65 mm

Ширина:

3.7 mm

Длина:

6.7 mm

Maximum Collector Base Voltage

80 В

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

1.2 V

Конфигурация:

Single

Технология:

Полярность транзистора:

NPN

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):

30 at 20 A, 2 V

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.:

100

Максимальный постоянный ток коллектора:

20 A

Напряжение коллектор-база (VCBO):

80 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:

30 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:

350 mV

Напряжение эмиттер-база (VEBO):

6 V

Непрерывный коллекторный ток:

7 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT):

100 MHz

Техническая документация

Datasheet FZT849TA , pdf , 668 КБ
Datasheet FZT849TA , pdf , 675 КБ

FZT849TA, Транзистор: NPN; биполярный - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация