FZT491TA, Транзистор: NPN, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 110 руб.

Сравнить

Описание

NPN-транзисторы общего назначения, до 1,5 А, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

FZT491TA

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2073742

Технические параметры

Вес, г

0.1

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Минимальная рабочая температура

55 C

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

FZT491

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Brand

DiodesZetex

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Type

NPN

Maximum Operating Temperature

+150 °C

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.75

Mounting

Surface Mount

Ширина

3.7 mm

Длина

6.7 mm

Вид монтажа

SMD/SMT

Dimensions

6.55 x 3.55 x 1.65mm

Length

6.55mm

Base Product Number

FZT491 ->

Material

Высота

1.65 mm

Pd - рассеивание мощности

2 W

Упаковка / блок

SOT-223-4

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Supplier Device Package

SOT-223

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Configuration

Single Dual Collector

Number of Elements per Chip

Package Type

SOT-223

Width

3.55mm

Pin Count

3 + Tab

Конфигурация

Single

Transistor Configuration

Single

Maximum Operating Frequency

150 MHz

Maximum Collector Emitter Voltage

60 V

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Напряжение коллектор-база (VCBO)

80 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

60 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

160 mV

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Полярность транзистора

NPN

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

150 MHz

Технология

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 5V

Frequency - Transition

150MHz

Power - Max

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

60V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Maximum DC Collector Current

1 A

Pd - Power Dissipation

Непрерывный коллекторный ток

1 A

Maximum Power Dissipation

2 W

Height

1.65mm

Standard Package Name

SOT

Supplier Package

SOT-223

Package Height

1.6

Package Length

6.5

Package Width

3.5

PCB changed

Lead Shape

Gull-wing

Automotive

Military

Maximum Power Dissipation (mW)

3000

Tab

Product Category

Bipolar Power

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

1.1@100mA@1A

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.5@100mA@1A|0.25@50mA@500mA

Maximum DC Collector Current (A)

Minimum DC Current Gain

Maximum Transition Frequency (MHz)

150(Min)

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.5 V

Maximum Collector Base Voltage

80 V

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

1.1 V

Техническая документация

Datasheet FZT491TA , pdf , 164 КБ
Datasheet FZT491TA , pdf , 165 КБ
Datasheet FZT491TA , pdf , 160 КБ

FZT491TA, Транзистор: NPN - характеристики, поставщики

Последняя цена 110 руб.

Техническая документация