IMW65R072M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2450 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор SILICON CARBIDE МОП-транзистор

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IMW65R072M1HXKSA1

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2072776

Технические параметры

Вес, г

6.51

Линейка Продукции

CoolSiC M1 Series

Максимальная рабочая температура

150 C

Другие названия товара №:

IMW65R072M1H SP005398438

Категория продукта:

МОП-транзистор

Коммерческое обозначение:

CoolSiC

Подкатегория:

MOSFETs

Производитель:

Infineon

Размер фабричной упаковки:

240

Серия:

IMW65R072

Тип продукта:

MOSFET

Торговая марка:

Infineon Technologies

Упаковка:

Tube

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Package

Tube

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Base Product Number

IMW65R072 ->

Вид монтажа:

Through Hole

Максимальная рабочая температура:

+ 150 C

Минимальная рабочая температура:

- 55 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Полярность транзистора

N Канал

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

26A (Tc)

Рассеиваемая мощность

96Вт

Pd - рассеивание мощности:

96 W

Упаковка / блок:

TO-247-3

Стиль Корпуса Транзистора

TO-247

Напряжение Истока-стока Vds

650В

Непрерывный Ток Стока

26А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.072Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

18В

Пороговое Напряжение Vgs

4.5В

Конфигурация:

Single

Технология:

SiC

MOSFET Configuration

Single

Id - непрерывный ток утечки:

26 A

Qg - заряд затвора:

22 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток:

94 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток:

650 V

Vgs - напряжение затвор-исток:

- 5 V, + 23 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :

5.7 V

Время нарастания:

14.6 ns

Время спада:

6 ns

Канальный режим:

Enhancement

Количество каналов:

1 Channel

Полярность транзистора:

N-Channel

Тип транзистора:

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения:

21.6 ns

Типичное время задержки при включении:

18.2 ns

Техническая документация

Datasheet IMW65R072M1HXKSA1 , pdf , 1385 КБ
Datasheet IMW65R072M1HXKSA1 , pdf , 1454 КБ

IMW65R072M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики

Последняя цена 2450 руб.

Техническая документация