BUT11AFTU, Транзистор: NPN, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 310 руб.

Сравнить

Описание

Высоковольтные NPN-транзисторы, Fairchild Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

BUT11AFTU

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2072756

Технические параметры

Вес, г

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

65 C

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

BUT11AF

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка

Tube

Производитель

ON Semiconductor

Brand

onsemi

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Package

Tube

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.7мм

Длина

10.16мм

Вид монтажа

Through Hole

Base Product Number

BUT11 ->

Высота

15.87мм

Размеры

10.16 x 4.7 x 15.87мм

Pd - рассеивание мощности

40000 mW

Упаковка / блок

TO-220-3

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

Supplier Device Package

TO-220F

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,5 В

Количество элементов на ИС

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,3 В

Максимальное напряжение коллектор-база

1000 V

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

450 В

Тип корпуса

TO-220F

Максимальное рассеяние мощности

40 W

Максимальный пост. ток коллектора

5 A

Тип транзистора

NPN-NO/NC

Число контактов

Максимальное напряжение эмиттер-база

9 В

Максимальный постоянный ток коллектора

5 A

Напряжение коллектор-база (VCBO)

1 kV

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

450 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.5 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

9 V

Полярность транзистора

NPN

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

1mA

Power - Max

40W

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 2.5A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

450V

Непрерывный коллекторный ток

5 A

Конфигурация транзистора

Одинарный

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet BUT11AFTU , pdf , 148 КБ
Datasheet BUT11AFTU , pdf , 48 КБ
Datasheet BUT11AFTU , pdf , 165 КБ
Datasheet , pdf , 48 КБ

BUT11AFTU, Транзистор: NPN - характеристики, поставщики

Последняя цена 310 руб.

Техническая документация