SI4134DY-T1-GE3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 11,2А, 3,2Вт, SO8, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

SI4134DY-T1-GE3 - это силовой полевой МОП-транзистор TrenchFET® с N-каналом и режимом расширения 30VDS, подходящий для приложений преобразования постоянного тока в постоянный.

• 100% Rg проверено
• 100% проверено UIS
• Без галогенов
• От -55 до 150 ° C Диапазон рабочих температур

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SI4134DY-T1-GE3

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2072459

Технические параметры

Вес, г

0.2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Производитель

Vishay

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

4мм

Длина

5мм

Высота

1.5мм

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Количество элементов на ИС

Transistor Configuration

Одинарный

Тип корпуса

SOIC

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Число контактов

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Типичное время задержки выключения

13 нс, 14 нс

Максимальный непрерывный ток стока

9,9 А

Материал транзистора

Кремний

Типичное время задержки включения

9 нс, 15 нс

Максимальное сопротивление сток-исток

14 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

15,4 нКл при 10 В, 7,3 нКл при 4,5 В

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

846 пФ при 15 В

Тип канала

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet SI4134DY-T1-GE3 , pdf , 294 КБ

SI4134DY-T1-GE3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 11,2А, 3,2Вт, SO8 - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация