IRFI540GPBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 12А, 48Вт, TO220FP, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 71 руб.

Сравнить

Описание

60s, f = 60Hz) Изоляция высокого напряжения
• Расстояние утечки между каналом и проводом 4,8 мм
• Диапазон рабочих температур от -55 до 175 ° C
• Динамический рейтинг dV / dt
• Низкое тепловое сопротивление < / p>

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

IRFI540GPBF

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2072189

Технические параметры

Вес, г

Категория продукта

МОП-транзистор

Максимальная рабочая температура

+ 175 C

Минимальная рабочая температура

55 C

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

IRFI

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Vishay Semiconductors

Упаковка

Tube

Brand

Vishay

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Package

Tube

RoHS Status

ROHS3 Compliant

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.10.00.80

Mounting

Through Hole

Ширина

4.7 mm

Длина

10.41 mm

Вид монтажа

Through Hole

Base Product Number

IRFI540 ->

Высота

15.49 mm

Pd - рассеивание мощности

48 W

Количество каналов

1 Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package / Case

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Supplier Device Package

TO-220-3

Страна происхождения

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

175

Configuration

Single

Number of Elements per Chip

Pin Count

Конфигурация

Single

Полярность транзистора

N-Channel

Технология

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Id - непрерывный ток утечки

17 A

Qg - заряд затвора

72 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

77 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

17A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

48W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

77mOhm @ 10A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Standard Package Name

TO-220

Supplier Package

TO-220FP

Package Height

16.12(Max)

Package Length

10.63(Max)

Package Width

4.83(Max)

PCB changed

Lead Shape

Through Hole

Automotive

Military

Maximum Power Dissipation (mW)

48000

Tab

Product Category

Power MOSFET

Maximum Drain Source Voltage (V)

100

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Continuous Drain Current (A)

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

77@10V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

72(Max)@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

72(Max)

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

1700@25V

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Техническая документация

Datasheet IRFI540GPBF , pdf , 1479 КБ
Datasheet IRFI540GPBF , pdf , 1482 КБ
Datasheet IRFI540GPBF , pdf , 1475 КБ
Datasheet IRFI540GPBF , pdf , 566 КБ
Datasheet IRFI540GPBF , pdf , 1479 КБ

IRFI540GPBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 12А, 48Вт, TO220FP - характеристики, поставщики

Последняя цена 71 руб.

Техническая документация