MMBTA42.215, Транзистор: NPN; биполярный; 300В; 0,1А; 250мВт; SOT23, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 44 руб.

Сравнить

Описание

Высоковольтные транзисторы, Nexperia

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

MMBTA42.215

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2072153

Технические параметры

Вес, г

Другие названия товара №

MMBTA42 T/R

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

65 C

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Brand

Nexperia

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Ширина

1.4 mm

Длина

3 mm

Вид монтажа

SMD/SMT

Dimensions

1 x 3 x 1.4mm

Length

3mm

Base Product Number

MMBTA42 ->

Высота

1 mm

Размеры

1 x 3 x 1.4мм

Pd - рассеивание мощности

250 mW

Упаковка / блок

TO-236AB-3

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Supplier Device Package

TO-236AB

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Number of Elements per Chip

Package Type

SOT-23 (TO-236AB)

Width

1.4mm

Pin Count

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,5 В

Количество элементов на ИС

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

0,9 В

Максимальное напряжение коллектор-база

300 В

Transistor Configuration

Single

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

300 В

Максимальное рассеяние мощности

250 мВт

Максимальный пост. ток коллектора

100 мА

Maximum Collector Emitter Voltage

300 V

Maximum Emitter Base Voltage

6 V

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Максимальный постоянный ток коллектора

0.2 A

Напряжение коллектор-база (VCBO)

300 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

300 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Полярность транзистора

NPN

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

50 MHz

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 30mA, 10V

Frequency - Transition

50MHz

Power - Max

250mW

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

300V

Maximum DC Collector Current

100 mA

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

25 at 1 mA at 10 V

Maximum Power Dissipation

250 mW

Height

1mm

Конфигурация транзистора

Одинарный

Minimum DC Current Gain

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.5 V

Maximum Collector Base Voltage

300 V

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

0.9 V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 165 КБ
Datasheet MMBTA42,215 , pdf , 50 КБ

MMBTA42.215, Транзистор: NPN; биполярный; 300В; 0,1А; 250мВт; SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 44 руб.

Техническая документация