2N7002PW.115, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики

2N7002PW.115, Транзистор: N-MOSFET

Последняя цена 16 руб.

2N7002PW.115, Транзистор: N-MOSFET

Сравнить

Описание

N-канальный полевой МОП-транзистор, 60–80 В, Nexperia

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

2N7002PW,115

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2072116

Технические параметры

Вес, г

0.1

Категория продукта

МОП-транзистор

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Минимальная рабочая температура

55 C

Подкатегория

MOSFETs

Продукт

MOSFET Small Signal

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Nexperia

Brand

Nexperia

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Ширина

1.35 mm

Длина

2.2 mm

Вид монтажа

SMD/SMT

Length

2.2mm

Base Product Number

2N7002 ->

Высота

1 mm

Pd - рассеивание мощности

310 mW

Количество каналов

1 Channel

Упаковка / блок

SOT-323-3

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package / Case

SC-70, SOT-323

Supplier Device Package

SOT-323

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Number of Elements per Chip

1

Package Type

SOT-323 (SC-70)

Width

1.35mm

Pin Count

3

Конфигурация

Single

Transistor Configuration

Single

Тип транзистора

1 N-Channel Trench MOSFET

Полярность транзистора

N-Channel

Технология

Si

Maximum Continuous Drain Current

310 mA

Maximum Power Dissipation

260 mW

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Drain Source Resistance

1.6 Ω

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Typical Gate Charge @ Vgs

0.6 nC

Transistor Material

Si

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

N

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Id - непрерывный ток утечки

310 mA

Qg - заряд затвора

0.6 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.6 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.1 V

Время нарастания

4 ns

Время спада

5 ns

Канальный режим

Enhancement

Типичное время задержки выключения

10 ns

Типичное время задержки при включении

3 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

310mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.8nC @ 4.5V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Power Dissipation (Max)

260mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250ВµA

Height

1mm

Техническая документация

Datasheet , pdf , 8541 КБ
Datasheet 2N7002PW,115 , pdf , 149 КБ
Datasheet 2N7002PW.115 , pdf , 263 КБ