IR21531STRPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 318 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Корпус SO-8, Кол-во нижних каналов 1, Кол-во верхних каналов 1, Максимальное напряжение смещения 600 В

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Драйверы MOSFET и IGBT

Номенклатурный номер

1999930

Технические параметры

Минимальная Рабочая Температура

40 C

Максимальная Рабочая Температура

+ 125 C

Pd - рассеивание мощности

625 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

150 ns

Время спада

100 ns

Другие названия товара №

SP001539932

Категория продукта

Драйверы для управления затвором

Количество выходов

2 Output

Количество драйверов

2 Driver

Напряжение питания - макс.

16.8 V

Напряжение питания - мин.

10 V

Подкатегория

PMIC - Power Management ICs

Рабочий ток источника питания

5 mA

Размер фабричной упаковки

2500

Технология

Тип

High Side/Low Side

Тип логики

CMOS

Тип продукта

Gate Drivers

Торговая марка

Infineon / IR

Упаковка / блок

SOIC-8

Input Type

RC Input Circuit

Длина

5 mm

Ширина

4 mm

Высота

1.5 mm

Number of Drivers

Channel Type

Synchronous

Driven Configuration

Half-Bridge

ECCN

EAR99

Gate Type

N-Channel MOSFET

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

HTSUS

8542.39.0001

Moisture Sensitivity Level (MSL)

2 (1 Year)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 125В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

8-SOIC (0.154"", 3.90mm Width)

Rise / Fall Time (Typ)

80ns, 45ns

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

8-SOIC

Voltage - Supply

10V ~ 15.6V

Base Product Number

IR21531 ->

REACH Status

REACH Unaffected

Особенности

Synchronous

Корпус

SO8

Напряжение высоковольтной части

600

Техническая документация

IR21531 (D)(S) & (PbF)_Datasheet , pdf , 218 КБ
Datasheet IR21531STRPBF , pdf , 217 КБ

IR21531STRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 318 руб.

Техническая документация