ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPA50R280CEXKSA2, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 500В, 7,5А, 30,4Вт, Ugs ±20В - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPA50R280CEXKSA2, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 500В, 7,5А, 30,…
Средства разработки, конструкторы, модули
3D принтеры и ЧПУ станки
Arduino совместимые платы и робототехника
Аксессуары для умного дома
Конвертеры интерфейсов
Литература по программированию и электротехнике
110
Материалы для моделирования
34
Модульная аппаратно-программная платформа TPS
55
Наборы и модули
Отладочные платы, наборы, модули расширения
Программное обеспечение для разработчиков
10
Развивающие конструкторы
49
Системы контроля доступа
Средства программирования
Электронные развивающие конструкторы
78
Наборы и модули
Автомобильная электроника
127
ЖК панели и аксессуары
66
Измерительная техника
23099
Источники питания
67
Модули
342
Охранные устройства
6
Программаторы, тестеры и отлад. устройства
10
Прочие наборы и модули
120
Регуляторы света
3
Световые эффекты
51
Системы дистанционного управления
5
Усилители НЧ
16
Устройства автоматики
79
Устройства обработки аудио сигналов
4
Электронные звуковые эффекты
7
Электронные помощники
23
Измерительная техника
23099
IPA50R280CEXKSA2, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 500В, 7,5А, 30,4Вт, Ugs ±20В
Последняя цена
290 руб.
Сравнить
Описание
Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ CE
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPA50R280CEXKSA2
Категория
Измерительная техника
Номенклатурный номер
1831863
Технические параметры
Вес, г
2.12
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Brand
Infineon
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Package
Tube
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
CoolMOS CE
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Length
10.65mm
Base Product Number
IPA50R280 ->
Высота
16.15mm
Operating Temperature
-40В°C ~ 150В°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package
TO-220 Full Pack
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Number of Elements per Chip
1
Package Type
TO-220
Width
4.9mm
Pin Count
3
Количество элементов на ИС
1
Transistor Configuration
Single
Максимальное рассеяние мощности
30.4 W
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Maximum Power Dissipation
30.4 W
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
550 V
Typical Gate Charge @ Vgs
32.6 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
7.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13V
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
773pF @ 100V
Power Dissipation (Max)
30.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 4.2A, 13V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 350ВµA
Height
16.15mm
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Forward Diode Voltage
0.85V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 965 КБ
