SQ2364EES-T1-GE3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 1,3А, 1Вт, SOT23, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SQ2364EES-T1_GE3

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

1831380

Технические параметры

Вес, г

0.01

Категория продукта

МОП-транзистор

Максимальная рабочая температура

+ 175 C

Минимальная рабочая температура

55 C

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Vishay Semiconductors

Вид монтажа

SMD/SMT

Pd - рассеивание мощности

3 W

Количество каналов

1 Channel

Упаковка / блок

SOT-23-3

Конфигурация

Single

Полярность транзистора

N-Channel

Технология

Id - непрерывный ток утечки

2 A

Qg - заряд затвора

2.5 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

240 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

8 V, + 8 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

460 mV

Время нарастания

11 ns

Время спада

13 ns

Канальный режим

Enhancement

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

8.8 S

Типичное время задержки выключения

26 ns

Типичное время задержки при включении

6 ns

Техническая документация

Datasheet SQ2364EES-T1_GE3 , pdf , 161 КБ
Datasheet SQ2364EES-T1_GE3 , pdf , 161 КБ

SQ2364EES-T1-GE3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 1,3А, 1Вт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация