BC856.215, Транзистор: PNP, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 12 руб.

Сравнить

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

BC856,215

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

1830923

Технические параметры

Вес, г

0.1

Другие названия товара №

BC856 T/R

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Производитель

Nexperia

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.4мм

Длина

3мм

Вид монтажа

SMD/SMT

Base Product Number

BC856 ->

Высота

1мм

Размеры

1 x 3 x 1.4мм

Pd - рассеивание мощности

250 mW

Упаковка / блок

SOT-23-3

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Supplier Device Package

TO-236AB

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,65 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Количество элементов на ИС

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

0,85 В

Максимальное напряжение коллектор-база

80 V

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

65 V

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Максимальное рассеяние мощности

250 мВт

Максимальный пост. ток коллектора

100 mA

Тип транзистора

PNP

Число контактов

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

125

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

125

Максимальный постоянный ток коллектора

0.2 A

Напряжение коллектор-база (VCBO)

80 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

65 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Полярность транзистора

PNP

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

125 @ 2mA, 5V

Frequency - Transition

100MHz

Power - Max

250mW

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

65V

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

125 at 2 mA at 5 V

Техническая документация

BC856_BC857_BC858 , pdf , 159 КБ
Datasheet , pdf , 202 КБ
Datasheet , pdf , 206 КБ

BC856.215, Транзистор: PNP - характеристики, поставщики

Последняя цена 12 руб.

Техническая документация